DRAM 南亚科技内存芯片和模块制造商 (Nanya Technology) 本月 1 日宣布将设立屏东科学园投资 3D 晶圆封装试验厂。
先进的密封检测设施将导入 TSV（硅通孔）、晶圆堆叠等 3D IC先进技术，晶圆布局 (Wafer Level) 专业制造集成能力的包装检测，以满足要求 AI 高性能、高带宽的内存需求是由应用程序的快速发展驱动的。
从描述上看，南亚科技等新后端工厂将看到“类别” HBM“内存解决方案，有望获得各种内存解决方案， AI 芯片订单。
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